Chicago Üniversitesi Pritzker Moleküler Mühendislik Fakültesi araştırmacıları ve işbirlikçileri, milimetre ölçeğinde düzenli iki boyutlu topolojik yalıtkan yapılar üretmek için bismut tellürür ince filmlerde katman katman büyütme yöntemini kullandı. Üniversitenin 12 Ekim’de yayımladığı duyurunun atıfta bulunduğu ACS Nano makalesi 9 Ekim’de çevrimiçi yayımlandı. Çalışmada iki kuintuple katmanlı Bi₂Te₃ ve MnBi₂Te₄/Bi₂Te₃ heteroyapıları incelendi; film, atomik kalınlık boyunca uzanan halı benzeri tutarlı bir büyüme biçimi gösterdi.

Ekip, açı ve foton enerjisine bağlı fotoemisyon ölçümleriyle katman sayısına göre elektronik bant yapısını; zaman çözünürlüklü fotoemisyonla elektron dinamiklerini araştırdı. Northwestern Üniversitesi’ndeki ortaklar taramalı tünelleme spektroskopisiyle film kenarlarında iletken durumlara işaret eden sinyaller ölçtü. Araştırmacılar ayrıca üst katmanı manganez bismut tellürüre dönüştürmenin bant aralığını genişlettiğini bildirdi. Duyuru, elektrik direnci ölçümünün henüz yapılmadığını ve bunun sonraki doğrulama adımı olduğunu açıkça belirtiyor; dolayısıyla yayın spektroskopik kanıt sunuyor, ölçülmüş aygıt performansı veya seri üretim göstermiyor. Makalenin ilk sayfasında Chicago, Northwestern, Illinois Urbana-Champaign, Florida ve Penn State üniversitelerinin ABD adresleri yer alıyor.