Investigadores de la Escuela Pritzker de Ingeniería Molecular de la Universidad de Chicago y sus colaboradores utilizaron crecimiento capa por capa de películas de telururo de bismuto para fabricar estructuras ordenadas de aislantes topológicos bidimensionales a escala milimétrica. El comunicado universitario del 12 de octubre trata un artículo de ACS Nano publicado en línea el 9 de octubre. El estudio examinó Bi₂Te₃ de dos capas quíntuples y heteroestructuras de MnBi₂Te₄/Bi₂Te₃; las películas crecieron de forma coherente, como una alfombra, a través de la muestra.

El equipo utilizó fotoemisión dependiente del ángulo y de la energía de los fotones para estudiar cómo cambia la estructura electrónica de bandas según el número de capas, y fotoemisión resuelta en el tiempo para examinar la dinámica electrónica. Colaboradores de Northwestern University midieron señales en los bordes de las películas mediante espectroscopia de efecto túnel, compatibles con estados conductores de borde. Los investigadores también informaron que cambiar la capa superior por telururo de manganeso y bismuto amplió la brecha de banda. El comunicado señala que aún no se han realizado mediciones de resistencia eléctrica y que son un siguiente paso de validación. Por tanto, el trabajo presenta evidencia espectroscópica, no rendimiento medido de un dispositivo ni producción industrial. La primera página del artículo enumera afiliaciones estadounidenses en Chicago, Northwestern, Illinois Urbana-Champaign, Florida y Penn State.