Brezilya’daki Pernambuco Federal Kırsal Üniversitesi ve Pernambuco Federal Üniversitesi araştırmacıları, düzensiz grafen iletkenlerinde taşımanın ayarlanabilir parametrelerle nasıl değiştiğini sayısal olarak inceledi. 9 Ekim’de arXiv’de yayımlanan ve hakem incelemesinden geçmemiş çalışmada, yarıçapları güç yasasına uyan elektrostatik kuantum noktalarıyla modellenen grafen şeritlerinde iletkenlik, sıkı bağlanma modeli ve Kwant yazılımıyla hesaplandı. Ekip, farklı kapı potansiyellerinde aynı düzensizlik örneği için 101 iletkenlik spektrumu karşılaştırdı.

Araştırmacılar, kanal sayısı arttıkça iletkenlik dalgalanmalarının korelasyon dağılımlarının sıfır çevresinde dar bir biçimden geniş veya çift tepeli yapılara geçtiğini, bazı kanal aralıklarında yeniden daraldığını bildirdi. Tek örneğe dayalı analiz, bu örüntüyü termodinamik cam fazı olarak değil, kuantum taşıma yollarının parametreye duyarlı yeniden düzenlenmesi olarak yorumluyor. Ekip, benzer korelasyon örüntülerinin grafen dışı iki boyutlu elektron gazı modelinde de görüldüğünü hesapladı. Sonuçlar deneyle ölçülmüş bir aygıt veya çip performansı değil, sayısal malzeme/taşıma modelidir. İlk sayfa her iki kurumu Recife, Pernambuco, Brezilya’da gösteriyor.